第1300章 芯片制程（2 / 2）

要知道中国腾飞可是承担着反导反卫星项目的，而该项目一个重要组成部分便是高精度远程搜索雷达，这方面的主要研制任务是由电子科技x研究所承担。

按理说与中国腾飞的关系不大，毕竟雷达系统不是中国腾飞的专业，能搞好射高150公里的反导反卫星导弹就是大功一件。

然而电子科技x研究所技术理论和初始设计都没问题，先进工艺制造方面就有些拉胯了，特别是高性能芯片的加工方面简直惨不忍睹，至今连800纳米制成的集成电路都做得磕磕绊绊，而中国腾飞研制的反导反卫星系统可是一种机动式反导拦截系统，不但要求导弹能够随打随走，其他配套设备同样能够伴随导弹长距离机动部署。

这就要求雷达的探测距离不但要远，精确度要高而且体积不能太大，综合功耗也不能过大，不然无法支撑长距离机动。

因此老旧的电子元器件根本就满足不了需求，只能寄希望于先进的芯片制程工艺才能满足这类高性能雷达的现实需求。

偏偏这种高端芯片制造工艺被发达国家所垄断，一般的民用芯片还好，花钱就能买得到，专用的军用芯片可就没这么亲民了，那可是花钱都买不到的绝版货。

这要是放在以前，没咒念的电子科技x研究所估计只能上马替代方案了，即用遍布全国的固定式雷达站来代替这类机动式雷达设备，先进与否暂且不提，最起码解决了有无问题，至于机动式只能等到将来技术成熟了在填补空缺。

不过此时的国内并非没有芯片先进制造企业，栾和平的whzb和whnb两家芯片制造和封测厂就一直对标南韩的三星，所使用的关键设备几乎全部来自荷兰阿斯麦尔的光刻机不说，还积极与国内的光学设备研制单位合作研制国产的光刻机和蚀刻机。

最新的成果是，whzb已经在180纳米制成光刻机上取得了决定性突破，预计在2002年便可批量投产，经过多次曝光可以生产136纳米芯片。

届时将部分取代国外设备，进一步提升自主性。

连国产设备都要达到180纳米制，现如今whzb的技术水平可想而知，早就掌握了136纳米的制造工艺，也正因为如此，whzb承接了大量英特尔、amd、德州仪器、松下、索尼等大厂的订单，产能可谓爆棚。

不过就是这么一家为外企代工的先进芯片制造厂背后的大股东不是旁人，正是中国腾飞！

以前电子科技x研究所还不知道这事儿，有心想找whzb帮着生产军用芯片，又怕太敏感被拒绝，跟中国腾飞合作之后方才发现，原来从里到外透着洋气的whzb根本就不是外人，那就没啥好说的了，雷达的高端芯片直接就交给中国腾飞来处理。